Services – Institute of Micro and Nanotechnology

The Micro and Nanofabrication Service (MiNa) of the Institute of Micro and Nanotechnology (IMN) has a consolidated experience in the development of nanotechnology in Spain and belongs to the Network of Laboratories and Research Infrastructures of the Community of Madrid. MiNa has ISO 9001:2015 quality certification, working with great efficiency in its goal of meeting the growing demand for the manufacture of structures for clients outside the IMN.

It is worth mentioning about this service:

Carrying out work beyond the standards, where our experts adapt nanotechnology, in a flexible way, to the most particular (and demanding) needs of the client,
High resolution electronic lithography, (EBL)
Offering ultra-high resolution ion beam (FIB) lithography in macroscopic areas,
Scanning electron microscopy (SEM) ” , both in the experience of the staff and in the capabilities of the equipment.

The service completes its objectives by transferring its experience to the rest of the Spanish scientific community by offering its knowledge and high-level infrastructure to R&D centers and technology companies.

Micro and Nanofabrication Service

To apply for any MiNa service, it is essential to send a request through the single reception method by sending an email to:

mina.imn@csic.es

subject: [Especificar el servicio requerido]
message: [Description of work to be performed and other requirements of dates, etc…].

Any service request that is not made through this single entry will not be honored.

Microscopio electrónico de barrido (SEM) FEI Verios 460 Resolución: 0,6 nm at 2 kV; 0,7 nm at 1 kV. Adquisición simultánea de hasta 4 imágenes con contraste morfológico y/o contraste en composición. Resolución extrema en muestras aislantes, muestras frágiles o muestras biológicas con energías de haz hasta 20 eV, sin necesidad de recubrimientos y con sustratos de vidrio o de plástico. Análisis cuantitativo de elementos por Espectroscopia de RX por Dispersión de Energía (EDX).

Difractómetro de Rayos X El sistema D8 DISCOVER es un Difractómetro de Rayos X versátil, manejable, flexible y de fácil operación. Está configurado para la identificación de fases, el análisis de láminas delgadas por reflectometría (X-Ray Reflectometry, XRR), de capas epitaxiales mediante Difracción de Rayos X de alta resolución (High Resolution X-Ray diffraction, HR-XRD), de Texturas mediante dispersión de Rayos X en incidencia rasante (Grazing Incidence Wide Angle X-Ray Scattering- GIWAXS y Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering GISAXS).

Focus Ion Beam Litografía por ataque de haz de iones de ultra alta resolución (FIB) Resoluciones típicas de 15 nm, con iones de GA y energías de haz de 30 KeVs. Portamuestra especial para fabricación de estructuras 3D)

Microscopio de fuerza atómica AFM Bruker. Dimension Icon con ScanAsyst. Caracterización de la superficie de diferentes tipos de materiales con resolución nanométrica

Manufacturing techniques

Litografía

Litografía de ultra-alta resolución por haz de electrones:
Resolución típica de 50 nm.

Equipo: Basada en SEM (LEO 145). Cátodo caliente de W o LaB6, Energía del haz: 25 KeVs.
Generador de estructuras: Elphy-Plus (2 MHz) con software para alineamiento con estructuras previas y para corrección de proximidad de estructuras. Editor gráfico de estructuras GDSII.
Portamuestras dotado de interferometría LASER que permite empalmar campos de escritura de 100 x 100 μm2 con un error < 60 nm. Área máxima de trabajo: 4×4 cm²

Litografía UV de Alta Resolución:
Resolución típica de 1 μm.

Equipo: MA6-Karl Suss (UV400).
Características: Capacidad de litografía por la cara posterior del sustrato y alineamiento con la cara superior (litografía de doble cara). Muy útil en aplicaciones del tipo MEMS

Ataque

Ataque de ultra-alta resolución por haz de iones focalizado (FIB):
Resolución típica de 15 nm.

Equipo: ionLiNE (RAITH GmbH). Fuente líquida de Ga. Energía del haz: 30 KeVs.
Generador de estructuras: Elphy-Plus (2 MHz) con software para alineamiento con estructuras previas y para corrección de proximidad de estructuras. Editor gráfico de estructuras GDSII.
Portamuestras: dotado de interferometría LASER que permite empalmar campos de escritura de 100 x 100 μm² con un error < 40 nm. Area máxima de trabajo: 10 x 10 cm².
Otras características: dotado con un sistema de inyección de gases (GIS) que permite la deposición selectiva de SiOx, Pt, y Mo, con resolución de 50 nm. Dotado de un portamuestras especial (3D) que permite fabricar en 3 dimensiones.

Ataque seco por plasma reactivo (RIE):
Resolución típica de 0.8 μm.

Equipo: PlasmaLab80 Plus.
Plasma: ICP (Inductively Coupled Plasma).
Gases: SF₆, CHF₃, Cl₂, BCl₃, NH₃, CO, CH₄, H₂, O₂, N₂, Ar.
Características: puede atacar cualquier clase de material (conductores, semiconductores y aislantes) como por ejemplo Nb, AlInAs, HfO₂.

Ataque húmedos y Limpieza

Bancos para el ataque y limpieza de materiales en medios ácidos y básicos húmedos.

Ataque de materiales orgánicos en plasma de Oxígeno.

Deposición

Deposición de dieléctricos por PECVD

Equipo: Surface Technology Systems 310PC-DF
Plasma: Tipo capacitivo.
Dieléctricos: SiOx y SiNx. Puede depositar hasta un espesor de 3 μm a temperaturas de sustrato entre 30 y 300 grados centígrados.

Deposición de Metales por Pulverización Catódica y Haz de Electrones