Isaac Newton 8, 28760 Tres Cantos, Madrid

El Instituto

El instituto

La actividad investigadora de IMN se centra en el avance de la investigación fundamental y aplicada en diversos temas dentro del ámbito de la nanociencia y la nanotecnología.

Cuenta con un servicio de micro y nanofabricación (MiNa) que atiende a los requerimientos más singulares y exigentes.

El IMN cuenta con una gran experiencia en técnicas avanzadas de fabricación, caracterización y manipulación de nanoestructuras, tales como epitaxia de haces moleculares (MBE), litografía por haz de electrones y iones, o técnicas basadas en microscopias de campo cercano (SPM). Esta experiencia acumulada permite al IMN abordar temas de investigación pluridisciplinar, así como ofrecer apoyo tecnológico a distintos grupos de investigación dentro y fuera de España.

 

El Instituto de Micro y Nanotecnología de Madrid (IMM-CNM) perteneciente al Centro Nacional de Microelectrónica fue fundado el 24 de febrero de 1994.

El Instituto de Micro y nanotecnología comenzó desde su creación a involucrarse en varias áreas de investigación interesantes relacionadas con la nanotecnología. La
capacidad de observar, comprender y manipular las propiedades de la materia a escala nanométrica está teniendo un gran impacto en muchos campos, como las
tecnologías de la información, las ciencias de los materiales, la biomedicina o
la producción y el almacenamiento de energía. El IMN se ha convertido en un
paradigma de tal confluencia de campos, combinando alta especialización y
multidisciplinariedad. La investigación científica en IMN la lleva a cabo un
equipo de personas entusiastas y apasionadas que exploran diversas áreas de la
nanociencia con el objetivo de investigación común de identificar nuevos
fenómenos y propiedades de la materia estructurada a nanoescala. También
pretendemos impactar en otros niveles de la I+D+i (I+D+i), en particular al
sector industrial, por lo que identificamos aquellas estructuras, materiales o
propiedades que son aptos para ser utilizados en dispositivos con prestaciones
novedosas o extremas. funcionalidades para aplicaciones que aborden las
necesidades presentes y futuras de la sociedad en salud, producción de energía
e información y comunicaciones. Y todo ello, teniendo en cuenta los principios
del desarrollo sostenible. En resumen, buscamos desarrollar y explotar…
NANOTECNOLOGÍA PARA UN FUTURO MEJOR.

Las actividades de investigación del centro comenzaron en 1985 como parte del Centro Nacional de Microelectrónica (“Centro Nacional de Microelectrónica”, CNM) enfocadas en la investigación de tecnología de semiconductores III-V para aplicaciones optoelectrónicas. En 1994, el CNM estaba organizado en dos institutos de investigación gestionados de forma independiente: El Instituto de Microelectrónica de Barcelona (“Instituto de Microelectrónica de Barcelona, ​​IMB-CNM) y el Instituto de Microelectrónica de Madrid (“Instituto de Microelectrónica de Madrid, IMM-CNM ). En 1996 se incorporó al CNM el Instituto de Microelectrónica de Sevilla y, al mismo tiempo, se inauguró un nuevo edificio para la ubicación exclusiva del IMM-CNM en Tres Cantos, Madrid. En junio de 2017, el Presidente del CSIC aprobó el cambio de denominación y acrónimo del IMM-CNM a su actual denominación: Instituto de Micro y Nanotecnología (“Instituto de Micro y Nanotecnología”, IMN-CNM). Este nombre describe más apropiadamente las actividades que actualmente se llevan a cabo.

El IMM cuenta con las siguientes técnicas para la fabricación de nanoestructuras y nanodispositivos:

  • Epitaxia de haces moleculares (MBE) de semiconductores III-V (In, Ga, Al, As, P, Sb)
  • Pulverización catódica en ultra alto vacío de metales y semiconductores compuestos
  • Deposición de metales: por haz de electrones, evaporación térmica y pulverización
    catódica
  • Ataques químicos: ataque húmedo y ataque seco por haces de iones reactivos (RIBE,
    RIE)
  • Litografía de ultra-violeta
  • Litografía coloidal
  • Técnicas de nanolitografía: Litografía por haz de electrones, Litografía por haz de iones,
    oxidación por AFM
  • Fabricación de nanoestructuras semiconductoras:
     — Pozos, hilos y puntos cuánticos de semiconductores III-V por MBE
     — Nanohilos de Si por CVD
  • Fabricación de nanoestructuras magnéticas, plasmónicas y magnetoplasmónicas en ultra alto vacío por pulverización catódica (DC y RF), célula Knudsen y evaporador por cañón de electrones
  • Fabricación de cristales fotónicos 2D
  • Procesos de fabricación por electroquímica:
     — Membranas de alúmina porosa (15 nm < Φ < 400 nm)
     — Electrodeposición de semiconductores

El IMM cuenta con las siguientes técnicas para la caracterización de nanoestructuras y nanodispositivos:

  • Caracterización estructural: AFM, RX
  • Caracterización eléctrica: Efecto Hall, I-V, C-V
  • Caracterización óptica:
     — Fotoluminiscencia (PL) y  µPL confocal a baja temperatura  (370-2300 nm, 4.2-300 K)
     — PL y µPL confocal resuelta en el tiempo <100 ps (400-1800 nm, 4.2-300 K)
     — PL y µPL confocal en alto campo magnético hasta 9 Tesla (370-2300 nm, 4.2-300 K)
     — Espectroscopía de correlación de fotones individuales (interferometría HBT)
     — Elipsometría espectral
     — Microscopía de barrido en campo cercano (SNOM)
     — Espectroscopía de modulación y absorción
  • Caracterización magneto-óptica:
     — Espectroscopía magneto-óptica en configuraciones polar y transversal
     — Ciclos de histéresis en configuraciones polar y transversal
     — Torque magneto-óptico
  • Interferometría plasmónica
  • Caracterización magneto-plasmónica en configuración Kretschmann
  • Microscopía de fuerzas magnéticas (MFM)
  • Caracterización de NEMS y MEMS
INVESTIGACIÓN

El objetivo del IMN es el avance de la investigación fundamental y aplicada dentro del ámbito de la nanociencia y la nanotecnología, en la intersección entre física, biología y ciencia de materiales.

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